VRPower® SiC658A (DrMOS)
特性:
- 熱增強型 PowerPAK® MLP55-31L 封裝
- Vishay 最新的 TrenchFET 技術和整合肖特基二極體的低側 MOSFET
- 提供超過 50 A 的連續電流、80 A 的峰值電流(10 ms)和 100 A 的峰值電流(10 μs)
- 最高可達1.5 MHz 的工作頻率
- 針對 12 V 輸入級优化的功率 MOSFET
- 3.3 V PWM 邏輯電平,并支持三態
- 零電流偵測控制以提高輕載效率
- 低 PWM 傳播延遲
- 熱監視器和故障標誌
- 欠壓鎖定保護
- 過流保護
- 過溫保護
應用: 用於 CPU、GPU 和記憶體的多相 VRD