產品展示

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  SiDR680ADP/SiDR626LDP

  Vishay 雙面散熱 MOSFET 提供高電流高功率設計方案
  - 第 4 代功率半導體技術提供 超低 RDS(on)
  - 傑出 動態參數表現 Qg, Qgd, Coss
  - 雙面散熱片設計 熱組係數低至 0.8 °C/W
  - 可用於同步整流與負載開關之效率優化 點擊查看更多 點擊收起

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  SMC5K60A

  特性：
  - 峰值脈衝功率 -5KW（10/1000 微秒）, 40 KW（8/20 微秒）
  - 優秀的箝位能力
  - 低應力、對稱引線框架設計
  - 非常快速的反應時間
  - 低增量突波電阻
  - 採用 SMC (DO-214AB) 表面貼裝封裝
  應用：用於敏感電子設備的電壓保護, 感性負載開關和照明引起的瞬變, 消費性感測器單元的 IC、MOSFET、訊號線，電腦、工業、汽車和電信 點擊查看更多 點擊收起

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  SSA34

  特性：
  - 薄型封裝
  - 功耗低、效率高
  - 低正向壓降
  - 高突波能力
  - 採用 SMA (DO-214AC) 表面貼裝封裝
  應用：用於低電壓高頻 DC/DC 轉換器、續流二極體和極性保護應用 點擊查看更多 點擊收起

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  WSLP20101L000FEA

  特性：
  - 超高的功率密度 (2 W in 2010 size)
  - 抗硫化電阻 (ASTM B809-95)
  - 超低寄生電感. (0.5 nH to 5 nH)
  - 高可靠度及高脈衝處理能力
  - 可用的尺寸 0603 ~ 5931 點擊查看更多 點擊收起

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  IHVR

  特性：
  - 飽和度與溫度無關
  - 連續軟飽和（無下降！）
  - EMI 極低，無熱點
  - 電感洩漏最小化 點擊查看更多 點擊收起

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  T55

  特性：
  - 超低 ESR
  - 100 % 浪湧電流測試
  - 電容範圍：3.3 uF ~ 1000 uF
  - 電壓範圍：2.5 VDC 至 63 VDC
  - 九個尺寸代碼的封裝 點擊查看更多 點擊收起

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  電解雙層電容器 235 EDLC

  特性：
  - 高容量、高能量密度的極化儲能電容器
  - 電容範圍為 5 F 至 100 F
  - 額定電壓：3 V
  - 提供徑向通孔
  - 堅固型 85 °C / 85 % 相對濕度
  - 在 85°C 下使用壽命可達 2000 小時
  - 快速充電和放電
  - 無害環保的電解液
  - AEC-Q200 和 UL 認證 點擊查看更多 點擊收起

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  SiC850A

  特性：
  - 大電流直流降壓方案
  - 系列涵蓋完整的伺服器CPU電源設計功率要求
  - 高度匹配多項控制器方案
  - 高效率
  - 完善保護功能
  - 監測和故障報告功能
  - 工業標準封裝
  應用
  - 伺服器CPU Vcore電源
  - 直流降壓電源模組
  - 網通 點擊查看更多 點擊收起

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  SC461

  特性：
  - 高壓大電流直流降壓轉換器
  - 系列涵蓋完整的48V直流電源設計功率要求
  - 高效率及低待機功耗
  - 系列可擴展封裝設計
  - 完善保護功能
  應用：
  - 24 V, 48 V 電源輸入應用
  - 工業和自動化
  - 工業和伺服器計算
  - 網路、電信和基地台電源
  - 機器人技術
  - 高端愛好電子產品：遙控汽車、飛機和無人機
  - 電池管理系統
  - 電動工具
  - 自動販賣機、ATM 點擊查看更多 點擊收起

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  SiC32303

  特性：
  - 大電流電子式保險絲
  - 系列涵蓋完整的伺服器電源設計功率要求
  - 完善保護功能
  - 工業標準封裝
  - 精確電流報告功能
  - 增強型 SOA 設計
  應用：
  - 熱插拔
  - 資料儲存
  - 伺服器
  - 網通
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