英商劍橋氮化鎵器件有限公司
Cambridge GaN Devices
由英國劍橋大學分立出來的 Cambridge GaN Devices (簡稱 CGD)，是一家無晶圓廠半導體公司，致力於開發一系列基於 GaN 的節能功率裝置，以實現更環保的電子產品。
業界首創、易於使用的增強模式 GaN
積體電路增強模式 GaN：具有最先進靜態和動態性能的新型平台，可增加內部閘極端子的易用性和智慧溫度控制，進而提高閘極可靠性。 與其他現有GaN 裝置不同，我們的智慧型 ICeGaN® 電晶體可與標準矽閘極驅動器搭配工作，且無需負電壓關斷，因此不必配置外部、昂貴的驅動和箝位介面。最後GaN 功率電晶體的工作方式與 MOSFET 大致相同。
Cambridge GaN Devices (CGD), a spin-out from the University of Cambridge, is a fabless semiconductor company pioneering energy-efficient GaN power devices that drive the future of sustainable electronics.
CGD introduced ICeGaN®: an industry-first enhancement-mode GaN transistor that can be operated like a Silicon MOSFET without the need for special gate drivers, driving circuitry, or unique gate voltage clamping mechanisms. Without the need for pairing GaN with Si MOSFETs in Cascode or Direct Drive configurations, CGD’s GaN is a single chip eMode GaN in a low profile/low inductance package.
